Микросхемы

Микросхема 1182ПМ1Р

Характеристики:

• производитель: СИТ
• исполнение микросхемы: полупроводниковое
• тип корпуса: DIP
• ток потребления: 3 мА
• минимальное рабочее напряжение: 80 В
• максимальное рабочее напряжение: 276 В
• выходная мощность: 150 Вт
• минимальная рабочая температура: -40 град.
• максимальная рабочая температура: 70 град.