Микросхемы

Микросхема 1182ПМ1Р
Характеристики:
- производитель: СИТ
- исполнение микросхемы: полупроводниковое
- тип корпуса: DIP
- ток потребления: 3 мА
- минимальное рабочее напряжение: 80 В
- максимальное рабочее напряжение: 276 В
- выходная мощность: 150 Вт
- минимальная рабочая температура: -40 град.
- максимальная рабочая температура: 70 град.
70
грн.