Микросхемы

Микросхема К1182ПМ1Р DIP-16.
Артикул: 1849
0 отзывов

Микросхема 1182ПМ1Р

Характеристики:

  • производитель: СИТ
  • исполнение микросхемы: полупроводниковое
  • тип корпуса: DIP
  • ток потребления: 3 мА
  • минимальное рабочее напряжение: 80 В
  • максимальное рабочее напряжение: 276 В
  • выходная мощность: 150 Вт
  • минимальная рабочая температура: -40 град.
  • максимальная рабочая температура: 70 град.
70
грн.
Перейти на мобильную версию сайта
Да, перейти Остаться на основной версии